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一种新型的单相非隔离有源钳位MOSFET逆变器
交易价格:面谈
所属类型
实用新型专利
所属行业
H02-电力发电、变电、配电
所属国家
所属地域
PCT项
交易方式
  • 专利详情
  • 专利摘要
  • 主权利要求
  • 优先权项
  • PCT项
CN2018216174454
2018-09-30
实用新型专利
一种新型的单相非隔离有源钳位MOSFET逆变器
华南理工大学
已授权

本实用新型提供一种新型的单相非隔离有源钳位MOSFET逆变器,包括八个开关管、四个二极管和两个分裂电容。在H6拓扑逆变器的基础上增加了钳位电路,能够使共模电压保持恒定,适用于光伏并网系统。本实用新型电路可以有效的解决逆变环节中由于不采用变压器而造成的共模漏电流问题,同时由于续流阶段电流不流经体二极管,因此MOSFET器件可以使用,降低了由于IGBT器件关断时由于拖尾电流造成的关断损耗,且SiC二极管可以替代普通二极管,反向恢复的损耗可以得到很好的抑制。因此本实用新型电路能够有效的抑制共模漏电流,同时提高并网发电系统的效率。

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