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一种高电容驱动低功耗CMOS跨阻放大器
交易价格:面谈
所属类型
发明专利
所属行业
H03-基本电子电路
所属国家
所属地域
PCT项
交易方式
  • 专利详情
  • 专利摘要
  • 主权利要求
  • 优先权项
  • PCT项
CN2016103230095
2016-05-16
发明专利
一种高电容驱动低功耗CMOS跨阻放大器
华南理工大学
已授权

本发明公开了一种高电容驱动低功耗CMOS跨阻放大器,包括调节共源共栅输入级、带反馈电压放大级和带深度反馈输出级,所述调节共源共栅输入级的输出端通过带反馈电压放大级进而与带深度反馈输出级的输入端连接。本发明通过采用调节共源共栅输入级、带深度负反馈输出级以及自偏置结构,实现电容驱动能力,在输入输出电容都较大时,仍可获得较大的带宽,且通过采用带反馈电压输出级,可以有效增大跨阻放大器的放大倍数,同时可以精确的控制跨阻放大器的跨阻放大器倍数。并且本发明通过采用自偏置结构可以节省一个带隙基准电路,可以有效的降低跨阻放大器的功耗,减小芯片面积。本发明可广泛应用于通信设备中。

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