本发明公开了一种温度补偿表面声波器件及其制备方法，温度补偿表面声波器件包括电极以及自下而上分布的衬底、第一温度补偿层、压电薄膜层和第二温度补偿层，所述电极位于压电薄膜层的上表面之上、嵌入压电薄膜层的上表面、位于第一温度补偿层的上表面之上或嵌入第一温度补偿层的上表面。本发明将压电薄膜层置于第一温度补偿层和第二温度补偿层这两层温度补偿层之中，有效提高了表面声波器件的温度补偿效果；采用了第一温度补偿层和第二温度补偿层这两层具有低热膨胀系数的温度补偿层，热膨胀抑制效果好；通过第一温度补偿层和第二温度补偿层这两层补偿层结构来进行温度补偿，应用范围更广。本发明可广泛应用于通信器件及其制备领域。