本发明公开了一种０到１阶功率级分数阶电容元件的制备方法，该方法利用分抗逼近的方法设计Ｓ域传递函数，利用电路综合的方法得到与该传递函数相对应的福斯特Ｉ型ＲＣ单口网络拓扑结构及参数。在制备过程中，考虑了分数阶电容元件承受的电压电流应力，选取不同规格的电阻及电容元件。根据本发明所构造的分数阶电容能够用于实际的功率级电路。