本实用新型公开了一种利于集成的空气隙型薄膜体声波谐振器。该谐振器是在双抛硅衬底的正反面各制作一个空气隙型薄膜体声波谐振器,双面均为键合型空气隙型薄膜体声波谐振器,谐振器上依次分布顶电极、压电薄膜、底电极、填平层、键合层和转移衬底,键合层分别生长在填平层与转移衬底之上,所述键合层、转移衬底和底电极围成一空气隙。两个谐振器压电薄膜的上表面和下表面分别相对连接有顶电极和底电极,底电极位于空气隙中,所述顶电极、压电薄膜和底电极构成三明治结构。采用所述方法制备的FBAR器件结构简单,制作工艺对核心结构的影响较小,能够降低了FBAR器件的制造成本,减小器件尺寸,适用于双工器、多工器等高频领域。
咨询热线:020-38033421
传真号码:020-38061201
电子邮箱:jm@jiaquanip.cn
Copyright © 嘉权专利商标事务所 All Rights Reserved. 粤ICP备2023151901号