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基于CMOS实现的双极性高斯单周期脉冲产生电路及方法
交易价格:面谈
所属类型
发明专利
所属行业
H03-基本电子电路
所属国家
所属地域
PCT项
交易方式
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  • PCT项
CN2014107186834
2014-12-01
发明专利
基于CMOS实现的双极性高斯单周期脉冲产生电路及方法
华南理工大学
已授权

本发明公开了一种基于CMOS实现的双极性高斯单周期脉冲产生电路及方法,电路包括窄脉冲产生单元、时钟信号极性翻转单元、直流电平消除单元、同步单元、合成单元和滤波整形单元。本发明能有效避免了波形变换和处理对基带数据准确性的影响。本发明采用的双极性高斯单周期脉冲产生器统完全可用集成电路CMOS工艺实现,适合集成于SOC芯片,具有良好的推广价值。本发明在有效降低了双极性高斯单周期脉冲信号产生电路的复杂性和实现难度的同时,降低了功耗和芯片的面积,使其在实现上能以很低的复杂度与较高的可靠性满足植入式设备在体积、功耗、长期可持续工作等方面的苛刻要求。本发明可广泛应用于生物医疗领域中。

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