本实用新型公开了一种GaN的DC?DC测试装置,包括上下MOSFET、输入输出电容、储能电感、控制IC、驱动IC、死区时间可调电路、上下管驱动电阻可调电路及测试点系统;其中上下MOSFET、输入输出电容、储能电感、控制IC、驱动IC的功能及连接方式与传统的DC?DC测试装置一致,死区时间可调电路、上下管驱动电阻可调电路替代传统的DC?DC测试装置部分电路。本实用新型在传统的DC?DC测试装置的基础上增设了死区时间可调电路、上下管驱动电阻可调电路及测试点系统,使得测试装置死区时间可调、测试装置驱动turn?on电阻、turn?off电阻可调以及测试装置关键信号测试点布局更灵活合理。 1
咨询热线:020-38033421
传真号码:020-38061201
电子邮箱:jm@jiaquanip.cn
Copyright © 嘉权专利商标事务所 All Rights Reserved. 粤ICP备2023151901号