本发明公开了一种建立钽电容的分数阶电路模型的方法，包括步骤：１）将传统钽电容模型的主电容Ｃ认为具有分数阶特性，设其阻抗为（ｉｍｇ　ｆｉｌｅ＝＇ＤＤＡ０００１１５３７７３８８０００００１１．ＴＩＦ＇　ｗｉ＝＇１４２＇　ｈｅ＝＇１０３＇／）其中α为电容的阶数，０﹤α﹤１；２）考虑电容Ｃ的分数阶特性，列写出电路模型的阻抗幅值和寄生电阻（ＥＳＲ）的表达式；３）采用电容实测的阻抗幅值曲线，使用步骤２）得到的寄生电阻和阻抗表达式，利用最小二乘法进行拟合，确定表达式内各个参数，由于钽电容的分数阶电路模型中的所有参数已确定，故钽电容的分数阶模型已成功建立。本发明方法可以用于预测钽电容的ＥＳＲ和阻抗幅值。