本发明公开了一种基于电热联合建模仿真的功率放大芯片设计优化方法，该方法包括以下处理步骤，步骤１：设计功率放大芯片并进行仿真获得该芯片的电气参数；步骤２：根据电路布局获得该芯片的版图及版图的面积参数；步骤３：获得热模型，并且计算获得热流参数；步骤４：进行网格划分，从而获得该芯片内部不同位置的实际温度；步骤５：通过该芯片内部不同位置的实际温度对该芯片的电路及版图进行优化从而降低该芯片的电气误差和芯片内部的实际温度；步骤６：将优化后的芯片重复进行步骤１?步骤５的处理直到芯片达到指定的电气指标并且工作温度在可靠范围内，则优化结束。本发明通过对功率放大芯片的电路和版图进行优化，可以提高热分析的准确性，降低功率放大芯片的误差，提高芯片的可靠性。