首页 > 专利商城 > 专利交易
基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED及其制作方法
交易价格:面谈
所属类型
所属行业
H01-基本电器元件
所属国家
中国大陆
所属地域
PCT项
交易方式
完全转让
  • 专利详情
  • 专利摘要
  • 主权利要求
  • 优先权项
  • PCT项
201310304148.X
中国大陆
基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED及其制作方法
五邑大学
审查中
完全转让

本发明公开了基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED及其制作方法,采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术制备P型掺杂纳米晶硅薄膜材料,并使其与ITO一起构成OLED的复合阳极,此复合阳极具有吸收率低、近似半反半透的光学特性,与高反射率的阴极Al使OLED产生了微腔效应,使得器件出光强度增大,电流效率和功率效率均有显著提高;而且,微腔的色坐标较常规OLED器件的色坐标有很大的改善,更加接近于标准值。这说明由于微腔效应使器件出光的色纯度更好,这有利于三基色合成彩色的实现。

联系方式

咨询热线:020-38033421

传真号码:020-38061201

电子邮箱:jm@jiaquanip.cn

关注嘉权专利商标事务所

Copyright © 嘉权专利商标事务所 All Rights Reserved.    粤ICP备2023151901号