本发明公开了一种生长在Ｓｉ衬底上的ＧａＡｓ薄膜的制备方法，包括以下步骤：（１）Ｓｉ衬底清洗；（２）Ｓｉ衬底预处理；（４）缓冲层的生长：在３５０～５００℃的生长温度下，在经步骤（３）处理后的Ｓｉ衬底表面生长２～２０ｎｍ的ＩｎｘＧａ１?ｘＡｓ缓冲层，０．０８＆ｌｔ；ｘ＆ｌｔ；０．１２；（５）ＧａＡｓ薄膜的生长：在５００～５８０℃的生长温度下生长ＧａＡｓ薄膜。本发明还公开了生长在Ｓｉ衬底上的ＧａＡｓ薄膜，包括依次层叠的Ｓｉ衬底、ＩｎｘＧａ１?ｘＡｓ缓冲层以及ＧａＡｓ薄膜。本发明的制备方法简单，大为简化了缓冲层结构以及外延生长工艺，获得表面形貌好、残余应力低的ＧａＡｓ外延薄膜。