本发明公开了生长在Ｓｉ衬底上的ＧａＡｓ薄膜的制备方法，包括以下步骤：（１）Ｓｉ衬底清洗；（２）Ｓｉ衬底预处理；（３）Ｓｉ衬底脱氧化膜；（４）缓冲层的生长：在３５０～５００℃的生长温度下，在经步骤（３）处理后的Ｓｉ衬底表面生长２～２０ｎｍ的ＩｎｘＧａ１?ｘＰ缓冲层，０．５７＆ｌｔ；ｘ＆ｌｔ；０．６３；（５）ＧａＡｓ薄膜的生长：在５００～５８０℃的生长温度下，在ＩｎｘＧａ１?ｘＰ缓冲层上生长ＧａＡｓ薄膜。本发明的还公开了生长在Ｓｉ衬底上的ＧａＡｓ薄膜。本发明具有缓冲层结构简单、外延生长过程简便等优点，所获得的ＧａＡｓ外延薄膜表面平整，位错密度低，晶体质量高。