本实用新型公开了生长在铝酸镁钪衬底上的ＧａＮ薄膜，包括依次生长在ＳｃＭｇＡｌＯ４衬底上的ＧａＮ缓冲层，ＧａＮ形核层，ＧａＮ非晶层以及ＧａＮ薄膜。所述ＳｃＭｇＡｌＯ４衬底以（０００１）面偏（１１?２０）面０．５～１°为外延面。与现有技术相比，本实用新型具有制备成本低廉的优点，ＧａＮ薄膜具有晶体质量好、缺陷密度低等特点。