本实用新型公开了ＧａＮ高电子迁移率晶体管的氮化镓薄膜，由下至上依次包括Ｓｉ衬底、ＡｌＮ成核层、ＧａＮ外延层、ＳｉＯ２薄膜掩模层、过生长ＧａＮ外延层；所述ＳｉＯ２薄膜掩模层上设有长条形窗口区，所述长条形窗口区的长度方向与ＧａＮ高电子迁移率晶体管的电流方向平行。本实用新型解决了现有技术中在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＮ薄膜位错密度太高，ＧａＮ　ＨＥＭＴ电子器件电阻高的问题。