本实用新型属于氮化物半导体器件技术领域，公开了生长在铝箔衬底上的氮化铟纳米柱外延片。生长在铝箔衬底上的ＩｎＮ纳米柱外延片，由下至上依次包括铝箔衬底、非晶态氧化铝层、ＡｌＮ层和ＩｎＮ纳米柱层。本实用新型的纳米柱直径均一，高晶体质量；大大减少了ＩｎＮ纳米柱外延层的缺陷密度，有利提高了载流子的辐射复合效率，大幅度提高氮化物器件的发光效率。