本实用新型属于氮化物半导体器件技术领域，公开了生长在铜箔衬底上的ＩｎＮ纳米柱外延片。生长在铜箔衬底上的ＩｎＮ纳米柱外延片由下至上依次包括铜箔衬底、Ｉｎ?Ｃｕ合金化金属层和ＩｎＮ纳米柱层。本实用新型的纳米柱直径均一，晶体质量高，减少了ＩｎＮ纳米柱外延层的缺陷密度，提高了载流子的辐射复合效率，提高氮化物器件发光效率。