本发明属于氮化物半导体器件技术领域，公开了生长在铜箔衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法。生长在铜箔衬底上的InN纳米柱外延片由下至上依次包括铜箔衬底、In?Cu合金化金属层和InN纳米柱层。方法为(1)预处理；(2)采用分子束外延生长工艺，在铜箔衬底上沉积In，退火，得到In?Cu合金化金属；(3)采用分子束外延生长工艺，衬底温度控制在400～700℃，在反应室的压力为4.0～10.0×10?5Torr，V/III束流比值为20～40条件下，生长InN纳米柱。本发明的纳米柱直径均一，晶体质量高，减少了InN纳米柱外延层的缺陷密度，提高了载流子的辐射复合效率，提高氮化物器件发光效率。