本实用新型公开了生长在硅／石墨烯复合衬底上的ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多量子阱纳米柱，该ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多量子阱纳米柱包括Ｓｉ／石墨烯复合衬底、生长在Ｓｉ／石墨烯复合衬底上的ｎ型掺杂ＧａＮ纳米柱，生长在ｎ型掺杂ＧａＮ纳米柱顶部上的ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多量子阱，生长在ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多量子阱顶部的ｐ型掺杂ＧａＮ纳米柱。本实用新型的制备方法具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多量子阱纳米柱缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。