本发明公开了一种生长在SiO2衬底上的二维InGaS纳米材料及其制备方法。所述制备方法包括：用乙醇清洗衬底，用干燥氮气吹净，得到清洗后的衬底；将清洗后的衬底放入CVD设备的玻璃管内，将S粉、In颗粒及Ga颗粒放入CVD设备的玻璃管内，抽真空处理，通入氩气作为保护气；升温使S、In及Ga在外延生长面恒温生长，得到生长在SiO2衬底上的InGaS纳米材料。本发明提供的制备方法具有生长工艺简单、生长工艺简单、结晶质量好、成本低、可行性高等优点。通过本发明提供的制备方法，生长出禁带宽度连续可调并可用于制造光探测器及太阳能电池等应用的InGaS二维材料。