本实用新型属于半导体的技术领域，公开了一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜。所述大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜，自下而上依次包括衬底、AlN成核层、缓冲层、未掺杂GaN薄膜；所述缓冲层为InxAl1?xN缓冲层或InxAl1?xN/In0.18Al0.82N缓冲层。本实用新型不仅改善了大尺寸SiC衬底与GaN材料晶格失配问题，有效控制外延片应力，对器件整体性能和良品率提升作用明显；利于制备大尺寸碳化硅基氮化镓器件。