本发明公开了一种生长在ＧａＡｓ衬底上的ＩｎＡｓ量子点，由下至上依次包括ＧａＡｓ衬底、ＩｎＡｓ量子点层、ＧａＡｓ盖层和Ｉｎ纳米结构层。本发明的另一目的在于提供上述生长在ＧａＡｓ衬底上的ＩｎＡｓ量子的制备方法：（１）对ＧａＡｓ衬底进行清洗；（２）对ＧａＡｓ衬底进行除气和脱氧预处理；（３）在ＧａＡｓ衬底上生长ＩｎＡｓ量子点层：（４）在ＩｎＡｓ量子点层上覆盖ＧａＡｓ盖层；（５）在ＧａＡｓ盖层表面沉积Ｉｎ纳米结构层。本发明制备的生长在ＧａＡｓ衬底上的ＩｎＡｓ量子点，极大提高了ＩｎＡｓ量子点的光致发光强度，且制备方法简单、成本较低，是一种制备强光致发光强度的高密度ＩｎＡｓ量子点的有效方法。