本发明公开了一种基于Cu衬底基GaN整流器的制备方法，从下至上包括Cu衬底、高掺杂GaN高阻层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层及SiO2表面钝化层，还包括肖特基接触电极及N型欧姆接触电极，所述肖特基接触电极及N型欧姆接触电极设置在AlGaN势垒层的上表面，其中，两种电极间在外加电压条件下形成横向电场，使二维电子气沿界面输运形成电流。本发明在制备过程中无复杂操作和其他有害副产物产生，为未来大功率电子器件热稳定性问题提供解决方案。