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紫外微图形化氧化物薄膜的制备方法及薄膜晶体管
交易价格:面谈
所属类型
发明专利
所属行业
H01-基本电器元件
所属国家
所属地域
PCT项
交易方式
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  • PCT项
CN2015107051206
2015-10-26
发明专利
紫外微图形化氧化物薄膜的制备方法及薄膜晶体管
华南理工大学
已授权

一种紫外微图形化氧化物薄膜的制备方法及薄膜晶体管,氧化物薄膜的制备方法包括如下步骤,将氧化物前驱体溶液通过非真空法在基底上形成氧化物前驱体薄膜,用紫外光通过具有图形的掩膜板对氧化物前驱体薄膜进行曝光,氧化物前驱体薄膜受紫外光照射的部分化学性质发生变化,未照射部分化学性质不变,再经去离子水浸泡显影实现图形化;其中,前驱体溶液中所使用的溶剂为水且不含其它有机添加剂。氧化物薄膜呈半导体、绝缘体或者导体性质。本发明能实现氧化物薄膜的有效图形化,工艺简单,对膜层无污染,图形化过程能有效减少膜层中所含杂质,且能实现低温制备高质量氧化物或复合材料薄膜。所制备薄膜晶体管性能良好,工艺简单,适用范围广。

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