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钝化层及其制备方法、柔性薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板
交易价格:面谈
所属类型
发明专利
所属行业
H01-基本电器元件
所属国家
所属地域
PCT项
交易方式
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  • PCT项
CN2020115967639
2020-12-29
发明专利
钝化层及其制备方法、柔性薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板
华南理工大学
已授权

本发明公开了一种钝化层及其制备方法、柔性薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板。本发明的钝化层为熔点低于100℃的疏水性物质所形成的自组装单层膜。本发明的柔性薄膜晶体管包括柔性衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源?漏电极层和本发明的钝化层。本发明采用熔点低于100℃的疏水性物质进行自组装形成单层膜作为柔性薄膜晶体管的钝化层,自组装过程中处理温度低,形成的钝化层致密度高,避免了柔性薄膜晶体管的背沟道与大气中水和氧气直接接触,柔性薄膜晶体管的电学性能和稳定性均显著提升。

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