本实用新型提供了一种叠层级联型GaN基功率器件。该器件结构为TO?220框架上面粘接设有通孔和凹槽的DBC双面陶瓷基板，DBC陶瓷基板凹槽中粘接GaN基芯片，垂直结构的硅基MOSFET叠放于GaN基芯片源极上形成Cascode级联结构。本实用新型通过对GaN基芯片和硅基MOSFET芯片合理布局实现Cascode级联结构，减小了芯片占用框架的面积，减小封装体体积且提高了封装形式的选择性；通过设有通孔和凹槽结构的高导热DBC双面陶瓷基板增大了芯片与高导热材料的接触面积，提高了芯片散热性能、优化了工艺步骤，使器件的可靠性和实用性提高。