本实用新型公开的衬底转移外延生长的HEMT与LED的单片集成器件，包括HEMT区以及LED区；其中，所述HEMT区包括从下到上依次分布的转移衬底、键合层、钝化层、栅源电极、AlGaN势垒层、GaN沟道层、AlGaN背势垒层和AlN/GaN缓冲层；所述LED区包括从下到上依次分布的转移衬底、键合层、钝化层、n?GaN层、多量子阱层、p?GaN层和p电极；所述HEMT区的AlGaN势垒层与GaN沟道层的界面处为HEMT区的AlGaN/GaN异质结；所述HEMT区的AlGaN/GaN异质结与LED区的n?GaN层相连，实现器件导通，能够将电流驱动的LED转变为电压驱动。本实用新型利用GaNHEMT高频率、高功率的优势，可将原本由电流驱动的LED转变为电压驱动，且内部无需电极互联，减小器件寄生电阻，可用于实现集成化、微型化、稳定的可见光通信系统。