本发明公开了一种提高MIM电容高频可靠性的版图结构及其实现方法，涉及新一代信息技术。针对现有技术中寄生电容大以及没有高频噪声抑制能力的问题提出本方案。衬底设有N型掺杂区域并层叠设置若干金属层，相邻金属层之间通过绝缘体隔离；除了最顶层之外的所有金属层均通过至少一过孔互相连通；对应金属层引出所需的接线端子。优点在于，降低了MIM电容对衬底的寄生电容，屏蔽衬底噪声；利用寄生电阻和寄生电容形成高频极点，提高MIM电容对高频噪声的抑制作用。提高了MIM电容的匹配度，改善了MIM电容对衬底噪声以及高频噪声的屏蔽效果，降低了电磁干扰，进而提升芯片良率。