本发明公开了适用于35GHz交流频率下工作的GaN整流器的制备方法：在硅衬底上依次生长N极性面GaN缓冲层、碳掺杂半绝缘化N极性面GaN层、非掺杂N极性面AlGaN层、非掺杂N极性面GaN层和非掺杂N极性面InGaN薄膜，得到整流器外延片；在GaN整流器外延上制备肖特基接触电极图案凹槽，并在凹槽中沉积肖特基接触电极；制备欧姆接触电极图案，并在外延片表面沉积器件欧姆接触电极；随后在外延片表面无电极部分沉积氮化硅钝化层，制备表面电极区域；最后再对GaN整流器外延片进行台面隔离处理。本发明实现了高频GaN整流器的制备，提高整流器件在大功率工作下的性能稳定性。