本发明提供具有集成放大电路的氮化镓基发光二极管结构及其制备方法。发光二极管包括:衬底、非掺杂GaN缓冲层、N型GaN导电层、多量子阱有源区、P型氮化镓导电层、电流扩展层、P电极、高阻氮化镓沟道层、AlGaN势垒层、源电极、栅电极;本发明涉及具有集成放大电路的氮化镓基LED结构,避免了分离器件电路连接存在的寄生电容、电感,将控制LED通断的电极设计在芯片内部,可以有效改善发光器件整体的响应频率,提高基于氮化镓基LED的可见光通信速率。
咨询热线:020-38033421
传真号码:020-38061201
电子邮箱:jm@jiaquanip.cn
Copyright © 嘉权专利商标事务所 All Rights Reserved. 粤ICP备2023151901号