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集成放大电路的氮化镓基发光二极管结构及其制备方法
交易价格:面谈
所属类型
发明专利
所属行业
H01-基本电器元件
所属国家
所属地域
PCT项
交易方式
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  • PCT项
CN2016103850806
2016-06-03
发明专利
集成放大电路的氮化镓基发光二极管结构及其制备方法
华南理工大学
已授权

本发明提供具有集成放大电路的氮化镓基发光二极管结构及其制备方法。发光二极管包括:衬底、非掺杂GaN缓冲层、N型GaN导电层、多量子阱有源区、P型氮化镓导电层、电流扩展层、P电极、高阻氮化镓沟道层、AlGaN势垒层、源电极、栅电极;本发明涉及具有集成放大电路的氮化镓基LED结构,避免了分离器件电路连接存在的寄生电容、电感,将控制LED通断的电极设计在芯片内部,可以有效改善发光器件整体的响应频率,提高基于氮化镓基LED的可见光通信速率。

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