本实用新型公开了一种纳米线ＧａＮ高电子迁移率晶体管，由下至上依次包括衬底、ＧａＮ薄膜、ＡｌＧａＮ纳米线、绝缘层薄膜；所述ＡｌＧａＮ纳米线的上方设有源极和漏极；所述绝缘层薄膜的上方设有栅极。本实用新型利用纳米线具有超强韧性的物理性质，达到抑制高压下材料内部产生缺陷的效果；利用纳米线中位错容易移动到表面而湮灭的原理，从而实现在高压工作时的自修复的效果，是一种能够避免或大幅度延迟器件在高电压工作时产生的不可逆失效现象的有效结构。