本实用新型公开了一种高性能薄膜晶体管，其底部是衬底，衬底上设置一栅极，栅极的四周有一绝缘层包覆隔绝，绝缘层之上是有源层，有源层之上是富铟层；该薄膜晶体管的最外层是钝化层，钝化层与富铟层、有源层、绝缘层、衬底围成的区域分别是含铜的源电极和漏电极；在本实用新型的薄膜晶体管中，富铟层提高了载流子浓度和加速载流子的传输，从而提高迁移率；所述的源电极和漏电极含有铜，含铜电极具有低的电阻率，能够有效降低阻抗延迟。本实用新型的薄膜晶体管使用真空法制备，制备方法简单，有利于大规模生产。所制得的薄膜晶体管同时具有高迁移率、高稳定性和低电阻率源／漏电极的优点。　１