本发明公开了生长在Ｓｉ衬底上的Ｉｎ０．３Ｇａ０．７Ａｓ薄膜，包括生长在Ｓｉ衬底上的低温Ｉｎ０．２８Ｇａ０．７２Ａｓ缓冲层及生长在低温缓冲层上的ＩｎＧａＡｓ（Ｅｇ＝１．０ｅＶ）外延层薄膜。本发明还公开上述生长在Ｓｉ衬底上的ＩｎＧａＡｓ薄膜的制备方法，低温生长的Ｉｎ０．２８Ｇａ０．７２Ａｓ缓冲层，缓冲层的退火工艺和Ｉｎ０．３Ｇａ０．７Ａｓ外延层薄膜的生长，均采用分子束外延生长的方法。本发明得到的Ｉｎ０．３Ｇａ０．７Ａｓ薄膜晶体质量好，表面平整，对半导体器件的制备，尤其是太阳电池领域，有着积极的促进意义。