一种氧化物半导体薄膜及以其作为沟道材料的薄膜晶体管。氧化物半导体薄膜成分为M2xSc2yIn2?2y?2xO3?δ，且成分中不包括Zn和Sn，其中M为Mg、Ca、Sr和Cd中的一种或任意两种以上组合的元素，0.01≤x≤0.5，0.001≤y≤0.3，0≤δ<3，载流子浓度小于4×1019cm?3。本发明的氧化物半导体薄膜可作为氧化物晶体管的沟道层材料，具有NBTS稳定性好、制备工艺简单、适用性强的特点。以本发明的氧化物半导体薄膜作为沟道材料的薄膜晶体管在工况温度和?20V栅压应力下的阈值电压漂移量的绝对值小于每小时1V，NBTS稳定性好。