本发明公开了一种氮化镓电子器件的欧姆接触的制备方法，在氮气氛围下，采用激光扫描含钛金属电极，通过激光引发含钛金属电极与氮气的化学反应，形成氮化钛欧姆接触；单位面积含钛金属电极的总化学反应时间小于0.01s。本发明所获得的欧姆接触的接触电阻小，反应时间短，而且GaN薄膜材料的电性能不受影响。本发明是一种快速的氮化镓器件欧姆接触制备方法，对于实现高性能的氮化镓电子器件同时提高生产效率有重要的意义。