本实用新型公开了一种具有ＧａＮ：Ｃ／ＧａＮ超晶格高阻层的ＨＥＭＴ结构。该ＨＥＭＴ结构自下而上依次包括衬底、ＧａＮ成核层、ＧａＮ缓冲层、ＧａＮ：Ｃ／ＧａＮ超晶格高阻层和ＡｌＧａＮ势垒层；其中高阻层由多层ＧａＮ：Ｃ故意碳掺杂层和非故意掺杂ＧａＮ层交替连接组成；单层ＧａＮ：Ｃ故意碳掺杂层的厚度为５?５００ｎｍ；单层非故意掺杂ＧａＮ层的厚度为５?５００ｎｍ。ＧａＮ：Ｃ／ＧａＮ超晶格可以提高氮化镓材料的电阻同时不降低其晶体质量，可以提高ＧａＮ／ＡｌＧａＮ异质结ＨＥＭＴ器件的耐高压特性、可靠性和寿命等特性。