本实用新型提供了一种基于Ｓｉ衬底的ＧａＮ基高压ＨＥＭＴ器件外延结构。该器件外延结构包括：Ｓｉ衬底（１）、ＡｌＮ成核层（２）、ＡｌＧａＮ过渡层（３?５）、第一ＡｌＧａＮ缓冲层（６）、低温ＡｌＮ插入层（７）、第二ＡｌＧａＮ缓冲层（８）、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超晶格层（９）、ＧａＮ沟道层（１０）、ＡｌＧａＮ势垒功能层（１１）、ＧａＮ帽层（１２）。本实用新型制备的外延晶体质量高、沟道载流子限域性好、栅极漏电流小，制备的器件具有高击穿电压、高电流密度、低关态漏电、以及优良的夹断特性，且高温下性能退化小。本实用新型的基于Ｓｉ衬底的ＧａＮ基高压ＨＥＭＴ器件外延结构制造工艺简单，重复性好，适用于高压大功率电子器件等应用。