本发明提供了Ｓｉ衬底ＡｌＧａＮ／ＧａＮ异质结基的增强型ＨＥＭＴ器件及其制造方法。该器件包括：Ｓｉ衬底（１０１）、ＡｌＮ成核层（１０２）、ＡｌＧａＮ过渡层（１０３?１０５）、ＡｌＧａＮ缓冲层（１０６）、低温ＡｌＮ插入层（１０７）、ＡｌＧａＮ主缓冲层（１０８）、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超晶格层（１０９）、ＧａＮ沟道层（１１０）、ＡｌＧａＮ势垒功能层（１１１），顶端两侧是源电极（１１２）和漏电极（１１３）、顶端中间是栅电极（１１６），中间ＡｌＧａＮ势垒功能层（１１１）被刻穿形成凹槽，凹槽的底部与ＧａＮ沟道层（１１０）相接触，凹槽底部淀积有钝化保护层（１１４）和栅介质层（１１５），介质层上面是栅电极（１１６）。采用发明制备的器件具有高阈值电压、高击穿电压、高电流密度、以及优良的夹断特性，而且制造工艺简单，重复性好的特点，适用于高压大功率电子器件等应用。