本实用新型公开了一种与Ｓｉ?ＣＭＯＳ工艺兼容的ＡｌＧａＮ／ＧａＮ异质结ＨＥＭＴ器件。该器件包括：ＡｌＧａＮ／ＧａＮ异质结外延层、钝化层、栅介质层、无金栅电极、无金源漏电极。所述ＡｌＧａＮ／ＧａＮ异质结外延层从下往上依次包括衬底、氮化物成核层、氮化物缓冲层、ＧａＮ沟道层、ＡｌＧａＮ本征势垒层和ＡｌＧａＮ重掺杂层，ＡｌＧａＮ重掺杂层通过电离施主产生电荷以补偿半导体的表面受主能级从而抑制电流崩塌，同时经低温退火与电极形成欧姆接触。本实用新型可以有效抑制ＨＥＭＴ器件的电流崩塌，提高器件性能，解决了ＡｌＧａＮ／ＧａＮ异质结ＨＥＭＴ与Ｓｉ?ＣＭＯＳ工艺兼容的技术瓶颈。