本实用新型提供了一种大栅宽的ＧａＮ基微波功率器件。该器件包括ＡｌＧａＮ／ＧａＮ异质结外延层、覆盖在ＡｌＧａＮ／ＧａＮ异质结外延层上的第一介质层、长条状的源电极、鱼骨状分布的漏电极、环状的栅电极、隔离上下两层电极的第二介质层、互连金属电极ｐａｄ。本实用新型制备的大栅宽的ＧａＮ基微波功率器件，输入信号的相移小、器件的寄生电容小、信号增益高、功率附加效率高、输出功率高，同时，器件的制造工艺简单，节省芯片面积，重复性好，适用于高频率、高功率的无线通信、雷达等领域。