本发明公开了一种HEMT器件纳米栅极的制备方法，在HEMT器件的制作过程中，利用Ag纳米线作为掩模，进行源漏电极金属沉积；之后采用NH3·H2O、H2O2、H2O混合溶液超声清洗的方法去除Ag纳米线，在源漏电极之间形成与Ag纳米线尺度相当的狭缝，最后在所述狭缝中制备纳米栅电极。本发明制备的HEMT器件具有低的栅源导通电阻，高的功率密度和频率响应，并且具有工艺简单、成本低廉的优点，对于实现高性能氮化镓基器件具有重要意义。