本实用新型公开一种辅助掺杂实现常关型GaNHEMT器件，包括硅衬底、GaN外延层、AlGaN势垒层、P型AlGaN掺杂层、SiN钝化保护层、源电极、漏电极以及栅电极；硅衬底、GaN外延层、AlGaN势垒层依次层叠；P型AlGaN掺杂层为金属镁在AlGaN层的上表面向下扩散形成的；SiN钝化保护层沉积在P型AlGaN掺杂层上表面以及AlGaN势垒层的上表面；所述源电极和漏电极分别与AlGaN势垒层的上表面两端接触；栅电极与沉积在P型AlGaN掺杂层上表面的SiN钝化保护层接触。本实用新型具有器件性能稳定可重复的优点，对于实现高阈值电压大饱和电流常关型GaNHEMT器件有重要意义。