本实用新型公开了一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件，所述HEMT功率器件主体采用外延硅衬底上的AlGaN/GaN异质结外延结构，包括由外延缓冲层，GaN沟道层，AlyGa1?yN势垒层，并在外延硅衬底上依次生长形成，在AlyGa1?yN势垒层上制作电极，所述电极包括栅电极、源电极和漏电极，栅电极制作于AlyGa1?yN势垒层上，位于源电极和漏电极之间；在源电极和栅电极之间、栅电极和漏电极之间的AlyGa1?yN势垒层上电极之外的区域形成一层多晶AlN层；所述HEMT功率器件为常关型。对于高性能、高可靠性氮化镓基器件的更广泛应用具有重要意义。