本实用新型公开了一种源极、漏极和栅极同步制备的GaNHEMT器件，所述器件包括从下到上依次分布的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层的上表面的两端连接源极和漏极，源极和漏极之间的势垒层上表面上分布一层绝缘层，绝缘层的上表面连接栅极，源极和漏极与沟道层分别形成欧姆接触，源极和漏极的高度相等，且高于栅极的高度。源极、漏极和栅极同步制备的GaNHEMT器件克服现有制备工艺需要分两步制备源漏极和栅极的缺点，不存在传统光刻技术的光衍射效应，可快速地制造出尺寸精度高的微纳图案。而且源极、漏极和栅极同步制备无需对准和二次光刻步骤，可实现非常精确的尺寸控制，器件的线宽可低至50nm，操作步骤简单，适用于工业生产。