本发明公开了一种湿法腐蚀辅助掺杂制备的增强型GaNHEMT器件及其制备方法，所述器件包括包括从下到上依次排布的硅基、GaN外延层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上表面形成p型AlGaN掺杂层，AlGaN势垒层上表面的两端接触有源极和漏极，p型AlGaN掺杂层的上表面具有氧化镁保护层，氧化镁保护层的上表面接触有栅极。利用热的磷酸溶液对光刻栅极区域AlGaN势垒层表面进行腐蚀处理，引入大量的表面态缺陷，提高镁原子的扩散效率，更加容易实现AlGaN势垒层的P型掺杂，该方法具有腐蚀损伤小、辅助掺杂效率高、器件漏电低的优点，对于实现低漏电增强型GaNHEMT器件具有重要意义。