本实用新型公开了一种基于Cu衬底HEMT器件，属于HEMT器件领域。所述HEMT器件包括Cu衬底、碳掺杂GaN高阻层、本征GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、栅电极、源电极以及漏电极。本实用新型采用脉冲激光沉积法，在高热导率的Cu衬底上制得晶体质量优良、异质界面清晰的HEMT氮化物薄膜，包括高掺杂GaN高阻层、本征GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层。同时，基于上述的HEMT氮化物薄膜，成功制备了散热良好、性能稳定的Cu衬底HEMT器件。此外，本实用新型与传统的CMOS工艺相兼容，在制备过程中无复杂操作和其他有害副产物产生，为未来大功率电子器件热稳定性问题提供解决方案。