本发明公开了一种基于导电凝胶的GaN基HEMT传感器及其制备方法。本发明的GaN基HEMT传感器包括由下而上依次设置的衬底、AlN成核层、AlGaN渐变层或AlN/GaN超晶格缓冲层、GaN:C高阻层、GaN沟道层、AlN隔离层、非掺杂Al0.24Ga0.76N势垒层和帽层，还包括设置在帽层上的源极、栅极和漏极；所述栅极由导电凝胶制成。本发明的GaN基HEMT传感器中的栅极由导电凝胶制成，和传统的GaN基HEMT传感器相比，灵敏度更高、成本更低、制备工艺更加简单，可以极大地扩展HEMT传感器的应用领域。