本发明公开了一种薄膜晶体管的源漏电极，由依次叠设的钼层和铜层构成，所述铜层设于所述钼层的上方；所述钼层设于薄膜晶体管的有源层的上方；所述钼层和钼层的晶格生长方向垂直；所述钼层的厚度为２０～４０ｎｍ；所述铜层的厚度为１５０～２５０ｎｍ。本发明还公开了上述源漏电极的制备方法及包含上述源漏电极的薄膜晶体管及其制备方法。本发明克服了现有技术中的铜电极容易氧化、铜电极沉积在金属氧化物有源层上之后铜原子向氧化物扩散的缺陷，具有高电导率的特点，还可以实现两层电极之间的应力平衡，使得电极剥离率降低，结合强度得到提高。