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一种氧化物薄膜晶体管
交易价格:面谈
所属类型
实用新型专利
所属行业
H01-基本电器元件
所属国家
所属地域
PCT项
交易方式
  • 专利详情
  • 专利摘要
  • 主权利要求
  • 优先权项
  • PCT项
CN201720690215X
2017-06-14
实用新型专利
一种氧化物薄膜晶体管
华南理工大学
已授权

本实用新型属于显示器件技术领域,公开了一种氧化物薄膜晶体管。所述氧化物薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、Al:Nd薄膜栅极、AlOx:Nd栅极绝缘层、氧化物半导体薄膜有源层、MoOx中间氧化层和Mo源/漏电极构成,所述MoOx中间氧化层自生成于Mo源/漏电极与有源层的接触界面之间。本实用新型在源/漏电极与有源层之间形成MoOx中间氧化层,能阻碍电极材料原子向有源层中扩散,实现源/漏电极和有源层之间欧姆接触,并有效地减少工艺步骤,降低成本。

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