本发明公开了一种自对准顶栅铟锡锌氧化物薄膜晶体管及其制造方法，晶体管包括衬底、缓冲层、铟锡锌氧化物薄膜、栅介质层、导电薄膜、钝化层、源漏接触电极和栅电极。本发明采用了自对准顶栅结构，克服传统底栅型晶体管存在的寄生电容大和等比例缩小能力弱的问题，沉积钝化层和沉积栅介质层时使用不同的气源和退火条件，使得与栅介质层接触并被其覆盖的铟锡锌氧化物薄膜区域呈现高阻态，与钝化层接触并被其覆盖的铟锡锌氧化物薄膜区域呈现低阻态，从而形成形了高阻沟道区和低阻源漏区，解决了传统掺杂离子的金属氧化物薄膜晶体管的热稳定性问题。本发明可以广泛应用于半导体领域。