本实用新型属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种具有全铝透明源漏电极的透明薄膜晶体管。所述薄膜晶体管由依次层叠的玻璃衬底、ＩＴＯ栅极、Ｓｉ３Ｎ４栅极绝缘层、ＩＧＺＯ半导体层、Ａｌ２Ｏ３半导体修饰层以及两侧的源漏电极构成，所述Ｓｉ３Ｎ４栅极绝缘层完全覆盖ＩＴＯ栅极，所述源漏电极由内至外依次具有ＡＺＯ／Ａｌ／ＡＺＯ／Ａｌ／ＡＺＯ的五层堆叠结构，源漏电极最内层与Ｓｉ３Ｎ４栅极绝缘层、ＩＧＺＯ半导体层和Ａｌ２Ｏ３半导体修饰层两侧均接触。本实用新型的源漏电极为ＡＺＯ／Ａｌ／ＡＺＯ／Ａｌ／ＡＺＯ五层堆叠结构，能够降低薄膜的接触电阻率并实现高透光性。